2012年5月8日，推進(jìn)利用TSV(硅通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業(yè)巨頭美國微軟已加盟該協(xié)會(huì )。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿垂直方向疊加多個(gè)DRAM芯片，然后通過(guò)TSV連接布線(xiàn)的技術(shù)。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線(xiàn)距離能夠從半導體封裝平攤在主板上的傳統方法的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬(wàn)個(gè)TSV，實(shí)現芯片間的多點(diǎn)連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因為正在考慮如何對應很可能會(huì )成為個(gè)人電腦和計算機性能提升的“內存瓶頸”問(wèn)題。內存瓶頸是指隨著(zhù)微處理器的性能通過(guò)多核化不斷提升，現行架構的DRAM的性能將無(wú)法滿(mǎn)足處理器的需要。如果不解決這個(gè)問(wèn)題，就會(huì )發(fā)生即使購買(mǎi)計算機新產(chǎn)品，實(shí)際性能也得不到相應提升的情況。與之相比，如果把基于TSV的HMC應用于計算機的主存儲器，數據傳輸速度就能夠提高到現行DRAM的約15倍，因此，不只是微軟，微處理器巨頭美國英特爾等公司也在積極研究采用HMC。

　　其實(shí)，計劃采用TSV的并不只是HMC等DRAM產(chǎn)品。按照半導體廠(chǎng)商的計劃，在今后數年間，從承擔電子設備輸入功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及掌管產(chǎn)品存儲的DRAM和NAND閃存都將相繼導入TSV。如果計劃如期進(jìn)行，TSV將擔負起輸入、運算、存儲等電子設備的主要功能。